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ASML光刻团队每小时更换晶圆的吞吐量规格

发布日期:2019-07-02 08:05   来源:未知   阅读:

  去年,光刻技术在半导体制造设备市场占据了其他设备(WhaTech)的主要份额。“光刻技术已经发展在过去几年年,因为在这个领域有丰富的R&d”。

  总部位于荷兰的ASML是半导体晶圆制造的光刻设备的主要供应商。“作为制造光刻机制造这些芯片的公司,摩尔定律也推动了我们的业务。事实上,在芯片上制造晶体管的关键是光刻技术。”

  该公司表示光刻技术“可以说是芯片生产过程中最重要和最关键的部分”。他们说,它决定了可以将多少电路封装到芯片上,控制所有芯片组件,连接和触点的尺寸和形状。

  他们指出,它用于制造芯片的每一层,大约30步,他们说,选择性地生长,修改和蚀刻掉这些特征。

  现在,ASML测试实现了每小时125个晶圆的吞吐量规格。吞吐量是需要证明的最终关键规范,行业观察者对这些数字感兴趣。

  “ASML已经成功展示了250瓦的EUV光源,可以将晶圆产量提高到每小时约125片晶圆(WPH)。行业观察人士已经看到ASML无法达到这一吞吐量数据,成为EUV 开发的主要障碍。”

  迪伦麦格拉斯在电子工程专辑:“125 WPH生产力的示范被认为是一个重要的里程碑,对于EUV工具的芯片供应商,长期以来坚持认为EUV工具必须能够这个水平吞吐量的具有成本效益的体积。制造。”

  “在EUV光刻,我们已经整合升级EUV源成TWINSCAN NXE:在我们的工厂Veldhoven的3400B光刻系统,取得了每小时125片的吞吐量规范这个系统上,”根据ASML新闻界发布。

  “在短短十多年的时间里,我们采用EUV光刻技术,从每个晶圆的小时数到每小时的晶圆数。”

  “系统晶圆的吞吐量取决于几个参数,包括EUV光源可以产生的功率量。这是因为曝光必须以一定量的能量发生,剂量。更多EUV光子可用于曝光,这种剂量可以更快地传递到晶片,因此吞吐量越高,“ Medium说。

  “EUV(极紫外光刻技术)已经进入市场需要很长时间。最初预计到2004年(如果不是更早的话)准备就绪,我们已经等待了13年的技术才能到货。” ASML现在声称已经解决了保持EUV 光刻技术不被释放的一个主要问题,他说,“虽然它是用非常谨慎措辞的语言进行的。”

  他说,ASML成功演示了每小时125个晶圆的工具,这一点非常重要。“这是EUV成功商业化的一步。”